采用准自对准着陆垫实现100 Ω寄生电阻和965 μA/μm导通电流的高性能GAA晶体管

High-Performance GAA FETs With 100 Ω Parasitic Resistance and 965 μA/μm On-State Current Using Quasi-Self-Aligned Landing Pads

R. J. Jiang · P. Wang · J. X. Yao · X. X. Zhang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2024年11月

为克服环绕栅场效应晶体管（GAA FETs）中严重的外延缺陷所导致的高寄生电阻和驱动性能不佳的挑战，本文提出了一种准自对准着陆垫（QSA LPs）技术，并展示了在 GAA FETs 中多层堆叠沟道与单晶硅锗/硅超晶格源/漏（SD）结构之间的无缺陷连接。与采用宽间距着陆垫的器件相比，使用 QSA LPs 技术时，N 型场效应晶体管（NFET）和 P 型场效应晶体管（PFET）的寄生源/漏电阻（$R_{SD}$）分别降低了 98.8% 和 96.3%。因此，对于栅长为 180 nm 的 N/PFET...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项GAA FET准自对准着陆焊盘技术展现出显著的战略价值。该技术通过创新的工艺方案，将寄生电阻降低超过96%，并实现965 μA/μm的高导通电流，这对我们的核心产品具有重要意义。 在光伏逆变器领域，功率半导体器件的性能直接决定了系统的转换效率和功率密度。GAA FET...