基于锗的可重构场效应晶体管中的静电门控

Electrostatic Gating in Ge-Based Reconfigurable Field-Effect Transistors

A. Fuchsberger · A. Verdianu · L. Wind · D. Nazzari 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年3月

纳米级锗已被确定为一种有前途的沟道材料，可降低可重构场效应晶体管（RFET）的功耗并提高其开关速度。这种多栅晶体管可使单个器件在运行时进行n型和p型操作模式的切换。在这项工作中，通过对与电栅控相关的载流子输运进行系统的温度相关研究，探讨了双独立栅和三独立栅锗基RFET的具体特性和优势。双栅结构具有单极性和双极性两种工作模式，而三栅结构则提供与偏置无关的单极性，其栅控能力具有对称特性，并且导通态电流的通断态电流比提高了一个数量级。

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于锗材料的可重构场效应晶体管（RFET）技术具有重要的战略参考价值。该技术通过静电门控实现n型和p型运行模式的动态切换，并展现出显著的低功耗和高速开关特性，这与我司光伏逆变器和储能系统对功率器件的核心需求高度契合。 在光伏逆变器领域，功率转换效率和开关损耗是制约系统...