找到 2 条结果 · 功率器件技术

排序:
功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

基于Koopman算子的物理信息数据驱动可再生能源主导电力系统振荡抑制策略

Physics Informed Data-Driven Oscillation Stabilization Strategy for Renewable-Dominant Power Systems Based on Koopman Operator

Zihan Wang · Gengyin Li · Ziyang Huang · Xiaonan Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年1月

随着波动性可再生能源发电(REGs)的高比例接入,振荡现象在全球范围内频繁出现。与传统电力系统中的低频振荡不同,以可再生能源为主导的电力系统中的振荡频率更高,涉及更多非线性因素,严重威胁着系统的稳定运行。振荡稳定控制设计的主要技术挑战在于以可再生能源为主导的电力系统具有非线性、复杂性,且难以获取其模型。为应对这一范式转变,本文提出了一种基于柯普曼算子(KO)的物理信息驱动的数据驱动振荡稳定控制(PDOS)策略,该策略具有强可解释性和高计算效率的优点。首先,基于柯普曼算子实现了非线性动态的全局线性...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于Koopman算子的物理信息驱动振荡稳定技术具有重要的战略价值。随着全球新能源渗透率持续攀升,我们在实际项目中已观察到高频振荡问题日益突出,这与传统电力系统的低频振荡特性存在本质差异,对我们的光伏逆变器和储能系统控制策略提出了新挑战。 该技术的核心价值在于通过Ko...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

多通道LE-HEMT实现创纪录最高亮度,面向微显示与片上高探测率光电探测器

Multi-Channel LE-HEMT With Highest Luminance in Record Toward Micro-Display and On-Chip High-Detectivity Photodetectors

Jijun Zhu · Fei Wang · Tianci Miao · Kai Cheng 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年8月

本研究制备了以不同数量的 InGaN 层作为多沟道(MCs)和多量子阱(MQWs)的 AlGaN/GaN 发光高电子迁移率晶体管(LE - HEMT),在 GaN HEMT 外延片上实现了有记录以来的最高亮度。所提出的结构通过将多量子阱与二维电子气沟道直接结合,实现了真正的外延单片集成。研究表明,尽管引入了多沟道,但该结构仍实现了出色的开关比($I_{\text {on}}$/$I_{\text {off}} = 10^{{8}}$)。获得了高达$2.1 \times 10^{{5}}$ cd/...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于AlGaN/GaN异质结构的多通道发光-高电子迁移率晶体管(LE-HEMT)技术,虽然聚焦于微显示和光通信领域,但其底层的GaN功率器件技术与我司在光伏逆变器和储能变流器中的核心技术路线存在显著的协同价值。 该技术实现的108开关比和单片集成能力,展示了GaN器件...