找到 4 条结果 · 功率器件技术

排序:
功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

高压大容量应用中IGBT驱动技术综述

Overview of IGBT Driving Technology for High Voltage and High Capacity Applications

Xianjin Huang · Pengze Zhu · Jiaqi Pan · Yang Cai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月

本文综述了高压大容量应用(如海上风电、直流输电等)中IGBT驱动电路的研究现状。驱动电路作为功率转换设备的核心,对提升开关性能、系统可靠性及效率至关重要。文章对比了不同驱动拓扑的优缺点,并探讨了未来在高压环境下驱动技术的发展趋势。

解读: IGBT驱动技术是阳光电源核心产品(如集中式/组串式光伏逆变器、PowerTitan储能变流器及风电变流器)性能优化的基石。随着公司产品向更高电压等级(如1500V/2000V系统)和更大功率密度演进,驱动电路的抗干扰能力、开关损耗控制及短路保护机制直接决定了产品的可靠性与效率。建议研发团队关注文中...

功率器件技术 IGBT 可靠性分析 故障诊断 ★ 5.0

基于改进温度准则的IGBT健康状态监测自激短路法研究

Research of Self-Excited Short Circuit Method for Monitoring IGBT Health Status With Improved Temperature Criterion

Xianjin Huang · Pengze Zhu · Li Zhu · Guangang Gao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

针对IGBT模块在长期运行中键合线和母排易出现断路导致短路电流变化的问题,本文提出一种自激短路监测技术。通过控制栅极电压产生小电流短路,并结合改进的温度准则,实现对IGBT健康状态的有效评估与故障诊断。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)具有极高的应用价值。逆变器与PCS中的IGBT模块是核心功率器件,其可靠性直接决定了系统的寿命。通过引入自激短路监测技术,阳光电源可在iSolarCloud平台中集成更精准的预测性维护功能,...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

高压压接式IGBT在直流断路应用下的物理瞬态电热模型

A Physics-Based Transient Electrothermal Model of High-Voltage Press-Pack IGBTs Under HVdc Interruption

Yifei Luo · Fei Xiao · Binli Liu · Yongle Huang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年6月

针对高压直流(HVdc)应用中压接式IGBT建模需求,本文提出了一种基于开关瞬态机制的物理电热瞬态模型。该模型充分考虑了高压IGBT(HVIGBT)较宽的基区宽度,通过物理建模方法实现了对器件在直流中断过程中的电热特性精确仿真。

解读: 该研究对于阳光电源在高压直流输电及大型储能系统(如PowerTitan系列)中的功率器件选型与可靠性设计具有重要参考价值。压接式IGBT是高压大功率变流器的核心,该电热耦合模型能有效提升对器件在极端工况(如直流故障中断)下热应力的预测精度,有助于优化变流器热管理系统设计,提升系统在复杂电网环境下的运...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

10kV碳化硅(SiC) MOSFET的短路特性与保护研究

Short-Circuit Characterization and Protection of 10-kV SiC mosfet

Shiqi Ji · Marko Laitinen · Xingxuan Huang · Jingjing Sun 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年2月

本文研究了第三代10kV/20A SiC MOSFET在不同温度下的短路性能。文章详细介绍了包含桥臂配置、高速10kV固态断路器及温控系统的测试平台,并提出了一种响应时间仅为1.5μs的新型FPGA短路保护电路。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及储能系统(如PowerTitan系列)中对高压、高效率功率变换的需求日益增长,SiC器件的应用已成为提升功率密度和系统效率的关键。10kV SiC MOSFET技术若成熟,将极大简化中高压光伏并网及储能PCS的拓扑结构,减少变压器级联需求。本文提出的高速短路保护方案对于提...