找到 3 条结果 · 储能系统技术

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储能系统技术 工商业光伏 多物理场耦合 ★ 5.0

基于异质储能与碳交易机制的风-光综合三联产系统㶲环境成本优化

Exergo-environmental cost optimization of a wind-solar integrated tri-generation system through heterogeneous energy storage and carbon trading mechanisms

Yuzhu Chenab1 · Kaifeng Yang · Weimin Guo · Na Du 等8人 · Energy Conversion and Management · 2025年5月 · Vol.332

摘要 全球能源消耗因生活水平提高和工业增长而持续上升,导致对清洁能源的需求不断攀升。然而,可再生能源固有的波动性以及需求的不确定性给系统稳定性带来了重大挑战。为实现系统与用户之间的能源平衡,并提升风能与太阳能资源的整合水平,本文构建了一种太阳能-风能-燃气耦合的三联产系统,该系统集成了多种储能方式,包括热能、燃气、电能及氢储能。为确定这些设备的最佳调度方案,采用㶲环境成本方法,旨在最小化能源产品的运行成本,同时引入阶梯式碳交易机制进行考量。结果表明,集成风力发电机与光伏/光热单元的方案表现最优,...

解读: 该风光气三联供系统结合多元储能技术,与阳光电源ST系列储能变流器及PowerTitan液冷储能系统高度契合。研究中的阶梯碳交易机制可优化iSolarCloud平台的能量管理策略,通过热-气-电-氢多维储能协同调度,提升SG系列光伏逆变器在工商业场景的经济性。外火用环境成本优化方法为阳光电源GFM/V...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

基于电力电子辅助有载分接开关的Sen变压器暂态建模与换流逻辑分析

Transient modeling and switching logic analysis of a power-electronic-assisted OLTC based Sen transformer

Wei Li · Song Han · Xi Guo · Shufan Xi 等6人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.378

本文提出了一种基于电力电子辅助有载分接开关(POLTC)的Sen变压器(POST)的暂态模型及其换流逻辑分析方法。首先,建立了一种考虑晶闸管反向恢复过程(RRP)的晶闸管开关模型。进一步地,通过将所提出的考虑RRP的晶闸管开关模型与考虑多绕组耦合(MWC)效应的Sen变压器(ST)暂态模型相结合,构建了POST的完整暂态模型。其次,根据POLTC的拓扑结构建立了基本换流逻辑。第三,利用所提出的暂态模型对POLTC的换相重叠角(COA)和短路电流(SCC)进行了评估。最后,通过分析不同功率因数条件...

解读: 该POLTC晶闸管换流技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan系统具有重要参考价值。文中提出的晶闸管反向恢复过程建模方法可优化我司PCS功率器件开关策略,换相重叠角分析有助于降低储能系统并网切换时的短路电流冲击。最优开关角选择方法可应用于GFM/GFL控制模式切换,提升不同功率因数下的...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

基于氩中性束刻蚀的E模凹栅GaN MOSHEMT实现1.48 dB噪声系数用于低噪声放大器应用

1.48-dB-Noise Figure E-Mode Recessed-Gate GaN MOSHEMT by Argon-Based Neutral Beam Etching for LNA Applications

Wenbo Ye · Junmin Zhou · Han Gao · Haowen Guo 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月

本研究针对低噪声放大器(LNA)应用,对氮化镓(GaN)增强型(E 型)凹槽栅高电子迁移率晶体管(HEMT)的器件特性进行了全面表征和研究。通过低损伤的基于氩气的中性束蚀刻(Ar - NBE)技术,凹槽栅 HEMT 实现了 0.5 V 的正电压阈值( ${V} _{\text {TH}}$ )、148 mS/mm 的最大跨导(gm)以及 2.39 nA/mm 的导通态栅极漏电流( ${I} _{\text {G}}$ )。在 2 GHz 的工作频率下,该器件呈现出 1.48 dB 的最小噪声系数...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于氩离子中性束刻蚀技术的增强型GaN MOSHEMT器件研究具有重要的战略参考价值,但其直接应用价值相对有限。 该论文聚焦于低噪声放大器(LNA)应用的GaN器件优化,实现了1.48 dB的超低噪声系数和0.5V的正阈值电压。从技术角度看,增强型GaN器件的常开特性...