Yunlong Shang · Chenghui Zhang · Naxin Cui · Chris Mi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年1月

传统的开关电容（SC）均衡器因其均衡精度高、易于实现而被广泛应用于电池管理系统。然而，它仅能实现相邻电池间的均衡，在多节串联电池组中，其均衡速度和效率极低。为此，本文提出了一种Delta结构的开关电容均衡器，旨在提升多节串联电池组的均衡性能。

解读: 该技术直接关联阳光电源的储能系统业务（如PowerTitan、PowerStack及户用储能系统）。在大型储能电站中，电池簇的串联节数较多，电池一致性直接影响系统的可用容量和寿命。该Delta结构均衡器通过优化拓扑，能够显著提升多节串联电池的均衡速度，减少因单体电池差异导致的“木桶效应”。建议研发团...

Yunlong Shang · Bing Xia · Fei Lu · Chenghui Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年10月

开关电容（SC）均衡器因成本低、体积小、控制简单而在主动电池均衡中极具前景。然而，在长串电池组应用中，传统SC均衡器存在均衡速度慢、效率低的问题。为此，本文提出了一种自动开关耦合电容均衡器（SCCE），旨在提升长串电池组的均衡性能与效率。

解读: 该技术直接关联阳光电源的储能业务，特别是PowerTitan（液冷储能系统）和PowerStack系列。长串电池组的均衡效率是提升储能系统全生命周期容量保持率的关键。该SCCE拓扑能有效解决大容量储能系统中电池不一致性导致的可用容量损失问题。建议研发团队评估该拓扑在BMS主动均衡模块中的集成可行性，...

Can Gong · Minhan Mi · Yuwei Zhou · Ting Meng 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年11月

在本文中，提出了一种用于Ka波段低压移动通信应用的高性能AlN/GaN/AlN/GaN双沟道鳍式高电子迁移率晶体管（DCF - HEMT）。得益于鳍式结构，所制备的DCF - HEMT展现出了改善的关态栅极控制特性。该晶体管的薄层电阻（$R_{\mathrm{SH}}$）低至$174 \Omega /$□，源漏间距短至$1.5 \mu \mathrm{~m}$，AlN/GaN/AlN/GaN DCF - HEMT实现了高达$2613 \mathrm{~mA} / \mathrm{mm}$的最大电...

解读: 从阳光电源的业务视角来看，这篇关于AlN/GaN双沟道Fin-HEMT器件的研究虽然聚焦于Ka波段无线通信应用，但其核心技术突破对我司功率电子产品具有重要的借鉴价值和潜在应用前景。 该器件展现的技术特性与我司光伏逆变器、储能变流器等核心产品的技术需求存在显著契合点。首先，双沟道结构实现的低薄层电阻...

Jie Zhang · Md Tanvir Hasan · Shubham Mondal · Zhengwei Ye · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

本文报道了一种通过引入铍（Be）掺杂来提升ScAlN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）性能的新方法。该器件展现出显著降低的关态漏电流，并在高电流应力条件下表现出优异的稳定性。通过精确调控Be掺杂浓度，有效抑制了栅极泄漏电流和动态导通电阻退化，同时保持良好的开态特性。透射电子显微镜与二次离子质谱分析证实了材料界面清晰且掺杂均匀。该研究为高性能GaN基功率器件的可靠性提升提供了可行路径。

解读: 该掺铍ScAlN/GaN HEMT技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。低关态漏电流特性可直接降低ST系列储能变流器和SG光伏逆变器的待机损耗，提升系统效率；高电流应力稳定性解决了GaN器件在PowerTitan大型储能系统长期运行中的可靠性痛点。相比传统AlGaN方案，ScAlN材料的高极化特性...