找到 3 条结果 · 储能系统技术

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储能系统技术 储能系统 调峰调频 ★ 5.0

水力发电系统中的一次调频性能:宽范围运行下的精确量化与整体提升

Primary frequency regulation performance in hydropower systems: Precise quantification and holistic enhancement under wide-range operation

Xueding Lu · Chaoshun Li · Hao Chang · He Wang 等8人 · Applied Energy · 2025年7月 · Vol.389

摘要 随着大量水电机组转向宽范围运行(WRO,即水头变化超过额定水头的7%,功率调节范围超过额定功率的50%),导致其在电网一次调频(PFR)考核中不达标的风险显著增加。为实现PFR性能的精确量化与整体提升,本文首先构建了一个具备模块化子系统切换功能的灵活水轮机调节系统(HTRS)仿真平台,以支持多种工况模拟与对比研究。其次,引入Prony辨识方法确定复杂非线性HTRS的稳定运行范围,相较于传统方法可节省90%以上的计算时间,且精度更高。在此基础上,分析了运行工况及主要非线性因素对系统稳定性的影...

解读: 该水电一次调频优化技术对阳光电源储能调频系统具有重要借鉴价值。研究中的Prony辨识法可应用于ST系列PCS的宽工况稳定域快速评估,节省90%计算时间;提出的调节上升时间、稳定时间及综合电量等性能指标体系,可直接移植到PowerTitan储能系统的调频性能量化评估中;针对低负荷工况的参数优化策略,对...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

高压射频应力下GaN HEMT中阻抗依赖性退化:电热与陷阱机制

Impedance-dependent degradation in GaN HEMTs under high-voltage RF stress: Electro-thermal and trap mechanisms

Linling Xu · Hui Guo · Nanjing Electronic Devices Institute · Jiaofen Yang 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

研究了在高压射频应力下,不同负载阻抗条件下GaN高电子迁移率晶体管的退化行为。实验发现器件退化程度显著依赖于负载阻抗,低阻抗时退化更严重。结合电学与热学分析,表明高阻抗下自热效应更强,但低阻抗时更大的漏极电流导致焦耳热集中和电场加速,加剧了缺陷生成与载流子俘获。通过瞬态电流与脉冲I-V测试,识别出浅能级陷阱的激活是退化主因,并揭示了电热耦合与陷阱响应的协同作用机制。

解读: 该GaN HEMT阻抗依赖性退化机制研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的低阻抗下电流集中导致焦耳热与电场协同加速陷阱生成机制,可直接指导ST储能变流器和SG光伏逆变器中GaN器件的阻抗匹配设计。通过优化负载阻抗避开高退化区域,可提升PowerTitan储能系统和充电桩中GaN功率模块的...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

采用有源钝化技术抑制浮动Si衬底诱导背栅效应的900-V p-GaN栅HEMT

900-V active-passivation p-GaN gate HEMT with suppressed floating Si substrate induced back-gating effect

Hao Chang · Junjie Yang · Jingjing Yu · Jiawei Cui · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

本文报道了一种采用有源钝化技术的900-V p-GaN栅高电子迁移率晶体管(HEMT),有效抑制了由浮动Si衬底引起的背栅效应。通过引入深沟槽隔离与介质填充的有源钝化结构,显著降低了漏极对衬底的电场耦合,从而消除背栅导致的阈值电压不稳定性与动态导通电阻退化。器件在高压关断状态下表现出优异的可靠性与稳定性,同时保持良好的开关性能。该设计为高压p-GaN栅HEMT在功率集成应用中的性能优化提供了有效解决方案。

解读: 该900-V p-GaN栅HEMT的有源钝化技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。通过深沟槽隔离抑制背栅效应,解决了GaN器件阈值电压漂移和动态导通电阻退化问题,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的高频开关电路。900V耐压等级匹配1500V光伏系统和储能系统的母线电压需求,有源钝...