找到 3 条结果 · 储能系统技术

排序:
储能系统技术 储能系统 PWM控制 可靠性分析 ★ 5.0

提高可靠性的NPC逆变器PWM方法研究

Reliability Enhanced PWM for NPC Inverter Focusing on Lifetimes of DC-link Capacitors and Power Devices

Dong-Jin Lee · Jae-Heon Choi · Ui-Min Choi · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年5月

功率器件与直流母线电容通常被视为电力变换器中可靠性最关键的元件,其热应力导致的损耗是引发失效的主要原因。已有研究通过降低热负荷提出了多种改进寿命的PWM方法,但大多仅单独考虑某一类元件。本文提出一种新型PWM策略,可同时降低NPC逆变器中直流母线电容与功率器件的热应力,从而协同提升整体可靠性。通过仿真与实验验证了所提方法的有效性与可行性。

解读: 该可靠性增强PWM技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。文章提出的协同优化策略可同时降低直流母线电容和功率器件热应力,直接契合阳光电源三电平NPC拓扑架构。在储能系统长周期运行场景下,该方法可显著延长关键元件寿命,降低OPEX成本。建议将此技术集成到iS...

储能系统技术 储能系统 多物理场耦合 可靠性分析 ★ 4.0

基于FDTD显式时间步进框架的功率器件封装瞬态热力耦合分析

Transient Thermomechanical Coupling Analysis of Power Device Encapsulation Using an FDTD-Based Explicit Time-Stepping Framework

Yan Peng · Huaguang Bao · Tiancheng Zhang · Dazhi Ding 等6人 · IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology · 2025年8月

为解决封装过程中影响功率器件可靠性的关键热机械耦合难题,本文基于时域有限差分(FDTD)方法建立了瞬态热机械耦合数值模型。通过拓展FDTD的显式时间步进策略,在统一的计算框架内对热传导方程和固体力学方程进行离散和求解。该方法无需生成和求逆隐式算法所固有的大型刚度矩阵,从而显著降低了计算复杂度。采用傅里叶定律结合Yee网格中心差分格式对热场进行离散,并引入实时热膨胀应变张量修正机制,以准确捕捉材料非线性特性,并持续更新结构场中的位移和应力。基于所提出的数值模型,我们对实际回流焊接过程进行了模拟,并...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于FDTD方法的瞬态热-机械耦合分析技术对我们的核心产品具有重要的工程应用价值。在光伏逆变器和储能系统中,功率器件(如IGBT模块、SiC功率芯片)的封装可靠性直接影响产品的长期稳定性和市场竞争力,尤其在户外极端温度环境和频繁充放电循环工况下,热应力导致的封装失效是系...

储能系统技术 储能系统 可靠性分析 ★ 4.0

邻近高压对汽车应用SOI功率器件特性与可靠性的影响

Influences of Adjacent High Voltage on the Characteristics and Reliability of SOI Power Devices for Automotive Application

Ran Ye · Jiaojing Bian · Hao Luo · Qiao Kang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2024年12月

基于0.18微米工艺节点的绝缘体上硅(SOI)双极互补金属氧化物半导体 - 双扩散金属氧化物半导体(BCD)技术因其卓越的特性在汽车应用中广受欢迎。在实际的集成电路中,为了平衡性能和芯片面积,器件通常会紧密排列。对于p型横向双扩散金属氧化物半导体(pLDMOS)而言,无论采用何种布局配置,其漏极和源极均会施加高电压。如此一来,如果功率器件与pLDMOS相邻,施加在pLDMOS上的高电压将对功率器件的特性产生不可预测的影响。在本研究中,针对汽车应用,全面研究了这种相邻高电压在室温(25°C)和高温...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项针对SOI BCD工艺中功率器件邻近高压影响的研究具有重要的技术参考价值。在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,功率半导体器件的可靠性直接影响系统效率和使用寿命,而该研究揭示的邻近高压效应正是高功率密度设计中的关键挑战。 该论文系统分析了pLDMOS器件在不同布局配置...