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一种实现宽输入电压范围钛金级效率的电源
A Power Supply Achieving Titanium Level Efficiency for a Wide Range of Input Voltages
| 作者 | Werner Konrad · Gerald Deboy · Annette Muetze |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年1月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | PFC整流 功率模块 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | 钛金级效率 电源 拓扑 低压 MOSFET 硅器件 输入电压范围 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文研究了一种新型电源拓扑,证明了通过利用具有优异品质因数的低压MOSFET,即使在低压输入条件下,传统硅基器件也能达到钛金级能效标准,为服务器及计算机电源的高效化提供了新方案。
English Abstract
To achieve the highest possible grade for server or computer power supplies in terms of efficiency, various solutions for high line input already exist on the market. In this paper, a new topology is investigated closely, showing that the titanium grade may be achievable at low line input with traditional silicon devices by the utilization of low voltage mosfets, which have an excellent figure of ...
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SunView 深度解读
该研究探讨的钛金级能效拓扑及低压MOSFET应用技术,对阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线具有参考价值。随着户用储能与充电桩对功率密度和转换效率要求的不断提升,该拓扑优化思路可用于提升AC/DC变换级的效率。建议研发团队关注该拓扑在宽输入电压范围下的热管理与损耗平衡,以优化阳光电源iSolarCloud配套的智能电源模块设计,进一步降低待机功耗并提升全负载段效率。