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结电容与死区时间对双有源桥
DAB）实际软开关范围的影响：解析分析与解决方案
| 作者 | Zhe Wang · Chi Li · Jiye Liu · Zedong Zheng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年5月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | DAB 双向DC-DC 功率模块 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 双有源桥 DAB 零电压开关 ZVS 结电容 死区时间 软开关范围 DC-DC变换器 |
语言:
中文摘要
双有源桥（DAB）变换器在轻载条件下，由于半导体结电容无法在死区时间内完成充放电，常导致零电压开关（ZVS）失效。本文旨在解析结电容与死区时间对DAB软开关范围的具体影响，并提出相应的优化解决方案，以提升变换器在全功率范围内的效率。
English Abstract
Dual active bridges (DABs) may lose zero voltage switching (ZVS) operation when the junction capacitance of semiconductors cannot be fully charged or discharged within dead time. The influence above is more serious especially under light load because the switching current is small. The aim of this article is to analyze the influence of the junction capacitance and dead time on the ZVS range of DAB...
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SunView 深度解读
DAB拓扑是阳光电源储能变流器（如PowerTitan、PowerStack系列）及直流耦合光储一体化方案中的核心DC-DC变换环节。在轻载工况下，ZVS失效会显著增加开关损耗，降低系统整体效率。本文提出的解析模型和优化方案，可直接指导研发团队在设计高频高效储能PCS时，更精准地匹配死区时间与功率器件参数，优化驱动电路设计。这对于提升阳光电源储能产品在复杂工况下的转换效率、降低散热压力及提升产品可靠性具有重要的工程应用价值。