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一种升压DC-DC变换器的扩展拓扑
Extended Topology for a Boost DC–DC Converter
| 作者 | Farzad Mohammadzadeh Shahir · Ebrahim Babaei · Murtaza Farsadi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年3月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | DC-DC变换器 光伏逆变器 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | Boost DC-DC变换器 非隔离型 电压增益 连续导通模式 断续导通模式 电力电子 拓扑结构 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种新型非隔离升压DC-DC变换器结构。该变换器相比传统非隔离升压变换器具有更高的电压增益。文中推导了该变换器在连续导通模式(CCM)和断续导通模式(DCM)下的电压电流方程及电压增益,并分析了其临界电感特性。
English Abstract
In this paper, a new structure for a nonisolated boost dc-dc converter is proposed. The proposed converter generates higher voltage gain than some conventional nonisolated boost dc-dc converters. In this paper, the voltage and current equations of the elements and voltage gain in continuous conduction mode and discontinuous conduction mode are extracted. Then, the critical inductance converter is ...
S
SunView 深度解读
该研究提出的高增益非隔离升压拓扑对阳光电源的产品线具有重要参考价值。在户用光伏逆变器及小型组串式逆变器中,提高DC-DC级的电压增益有助于优化MPPT范围,提升系统效率并降低对光伏组件串联数量的限制。此外,该拓扑在储能系统(如PowerStack)的DC-DC变换环节中,若能通过优化实现更高的功率密度和转换效率,将显著提升产品的竞争力。建议研发团队评估该拓扑在宽输入电压范围下的损耗特性,并结合SiC/GaN等宽禁带半导体器件进行仿真验证,以探索其在下一代高功率密度逆变器中的应用潜力。